世界初、イオン注入ドーピングを用いた縦型酸化ガリウム（Ga2O3）トランジスタ開発に成功～汎用性の高いデバイスプロセスを採用、低コストGa2O3パワーデバイス量産への道筋～
世界初、イオン注入ドーピングを用いた縦型酸化ガリウム（Ga2O3）トランジスタ開発に成功
～汎用性の高いデバイスプロセスを採用、低コストGa2O3パワーデバイス量産への道筋～?
【ポイント】
■ 高性能縦型酸化ガリウム（Ga2O3）トランジスタ作製技術の開発に成功
■ 独自開発したシリコン、窒素をそれぞれ用いたn, p型イオン注入ドーピング技術を採用
■ 低コスト量産が可能、新半導体産業の創出、世界的規模での省エネ実現に期待
国立研究開発法人情報通信研究機構（NICT、理事長: 徳田 英幸） 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター 東脇 正高 センター長らは、国立大学法人真人线上娱乐（学長: 大野 弘幸） 大学院工学研究院応用化学部門 熊谷 義直 教授、村上 尚 准教授らとの共同研究により、イオン注入ドーピング技術*1を用いた縦型酸化ガリウム（Ga2O3） トランジスタ*2の開発に成功しました。今回採用したイオン注入ドーピングをベースとするデバイス作製技術は、量産に適し、汎用性も高く、低コスト製造が可能であるため、今後電機、自動車メーカー等民間企業におけるGa2O3パワーデバイス開発の本格化につながることが予想されます。また、本開発により、これまでに報告されている同様の縦型Ga2O3トランジスタを上回るデバイス特性を実現しました。現代の省エネ課題に直接貢献可能な新半導体デバイス分野における大きな技術的ブレークスルーであると同時に、近い将来の新半導体産業の創出につながることを期待させる成果です。
本研究成果は、2018年12月3日（月）付けで、米国電気電子学会（IEEE）誌 『IEEE Electron Device Letters』にEarly Access版がオンライン公開されております。正式版は、同誌2019年1月号（12月27日頃発行）に掲載されます。
本研究の一部は、内閣府総合科学技術?イノベーション会議のSIP（戦略的イノベーション創造プログラム）「次世代パワーエレクトロニクス」［管理法人： 国立研究開発法人新エネルギー?産業技術総合開発機構（NEDO）］によって実施されました。
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